本设备广泛用于IC半导体、连接器、线路板、磁性材料、高分子材料、EVA、光伏组件等行业相关之产品作加速老化寿命试验。满足试验标准：GB-T2423.40-1997、IEC60068-2-66-1994、JESD22-A100、JESD22-A101、JESD22-A102、JESD22-A108、JESD22-A110、JESD22-A118等

TCT温度循环测试箱标准机型有：100L、150L、225L、408L、800L、1000L的内箱尺寸；备注：50L~100L及1000L以上是非标定制产品，具体规格参数以方案书为准。低温可选：-80℃、-70℃、-60℃、-40℃、-20℃、0℃和常温；高温可选：+150℃、+180℃、+200℃；湿度范围有：20%~98%RH（非标可选：5%~~98%RH、10%~98%RH）TCT温度循环测试箱适合电子元器件，半导体IC、芯片、光伏组件，电器，食品，车辆，金属，化学，建材等工厂，科研单位，院校之用。

内箱容积mm（圆桶）：￠300×D450、￠400×D550温度范围：+110～+132℃、+110℃～+147℃压力范围：压力表+0.2～2.0kg/cm²、压力表+0.2～3.5kg/cm²湿度范围：100%R.H（饱和蒸汽）适用范围：一般适用于电子元器件、半导体器件、太阳能组件、高分子材料、磁材、金属材料等。

内箱容积（圆桶）：￠300×D450、￠400×D550温度范围：+110～+132℃、+110℃～+147℃压力范围：压力表+0.2～2.0kg/cm²、压力表+0.2～3.0kg/cm²、压力表+0.3～3.5kg/cm²湿度范围：65%～100%R.H(可调)适用范围：本设备广泛用于IC半导体、连接器、线路板、磁性材料、高分子材料、EVA、光伏组件等行业相关之产品作加速老化寿命试验。

品牌：Riukai/91视频链接下载内箱容积（圆桶）：￠300×D450、￠400×D550温度范围：+110～+132℃、+110℃～+147℃压力范围：压力表+0.2～2.0kg/cm²、压力表+0.2～3.5kg/cm²湿度范围：100%R.H（饱和蒸汽）适用范围：一般适用于印刷线路板（PCB或FPC）、半导体、金属、磁性材料、电子元器件、高分子材料等

内箱容积mm（圆桶）：￠300×D450、￠400×D550温度范围：+110～+132℃、+110℃～+147℃压力范围：压力表+0.2～2.0kg/cm²、压力表+0.2～3.5kg/cm²湿度范围：100%R.H（饱和蒸汽）适用范围：一般适用于印刷线路板（PCB或FPC）、半导体、金属、磁性材料、电子元器件、高分子材料等

内箱容积mm（圆桶）：￠300×D450、￠400×D550温度范围：+110～+132℃、+110℃～+147℃压力范围：压力表+0.2～2.0kg/cm²、压力表+0.2～3.5kg/cm²湿度范围：100%R.H（饱和蒸汽）适用范围：一般适用于电子元器件、半导体器件、太阳能组件、高分子材料、磁材、金属材料等。

功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验方法，用以评价非气密封装的功率半导体器件在高温高湿环境下耐受高电压的可靠性。不但适用于硅功率器件，也适用于碳化硅及氮化家功率器件。

THB试验是考核塑封器件耐湿性常用的加速试验方法，一般在高温高湿试验箱中进行。通过提高环境温度及相对湿度，使试验环境的水汽分压增加，加大了试验环境与塑封半导体器件样品内部的水蒸气压力差，进而加剧水汽扩散和吸收：同时施加偏置电压为加速金属侵蚀提供了必要的电解电池。加速金属侵蚀的原因还有:塑封器件所用不同材料的热失配使封装体内产生缝隙加速水汽的侵入；封装材料中的杂质污染等。

芯片是电子信息产品重要的元器件，是高端制造业的是核心基石！几乎每种电子设备，电脑、手机、家电、汽车、高铁、电网、医疗仪器、机器人、工业控制等都使用芯片。91视频链接下载HAST试验箱主要应用于芯片、半导体器件、金属材料领域，通过爆米花效应、动金属化区域腐蚀造成之断路、封装体引脚间因污染造成之短路等相关问题。